華南師范大學(xué)半導(dǎo)體科學(xué)與技術(shù)學(xué)院于2021年3月正式發(fā)文成立，是學(xué)校教學(xué)科研單位。2021年10月，廣東省教育廳、佛山市政府、南海區(qū)政府和華南師范大學(xué)正式簽署四方協(xié)議，共建南海校區(qū)工學(xué)部，重點(diǎn)建設(shè)半導(dǎo)體芯片、集成電路、新一代通信技術(shù)、顯示、人工智能等學(xué)科發(fā)展，半導(dǎo)體科學(xué)與技術(shù)學(xué)院迎來(lái)了新的發(fā)展契機(jī)，2021年學(xué)院開(kāi)始招收了第一屆本科生，由李京波教授擔(dān)任首任院長(zhǎng)，吳嵐擔(dān)任首任黨總支書(shū)記。

        半導(dǎo)體科學(xué)與技術(shù)學(xué)院的前身是半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)研究院（2019年3月成立）、光電子材料與技術(shù)研究所（2002年8月成立，以劉頌豪院士、范廣涵教授為學(xué)科帶頭人，在原來(lái)半導(dǎo)體外延MOCVD實(shí)驗(yàn)室的基礎(chǔ)上創(chuàng)建成立）。經(jīng)過(guò)多年全體師生的共同努力，半導(dǎo)體科學(xué)與技術(shù)學(xué)院已成為華南師范大學(xué)國(guó)家重點(diǎn)光學(xué)學(xué)科、集成電路科學(xué)與工程、凝聚態(tài)物理、半導(dǎo)體器件物理、半導(dǎo)體芯片制備與測(cè)試平臺(tái)、半導(dǎo)體器件模擬中心等研究方向的重要教學(xué)科研機(jī)構(gòu)。

        半導(dǎo)體科學(xué)與技術(shù)學(xué)院現(xiàn)有“廣東省芯片與集成技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室”、“廣東省微納光子功能材料與器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室”、“廣東省光電功能材料與器件工程技術(shù)研究中心”、“廣東省低碳與新能源材料工程技術(shù)研究中心”等多個(gè)省部級(jí)科研平臺(tái)。擁有物理學(xué)和電子科學(xué)與技術(shù)等2個(gè)一級(jí)學(xué)科博士點(diǎn)，電子信息、微電子與固體電子學(xué)、材料物理與化學(xué)和集成電路科學(xué)與工程（擬建）等4 個(gè)碩士點(diǎn)，1個(gè)光學(xué)博士后流動(dòng)站和1個(gè)集成電路設(shè)計(jì)與集成系統(tǒng)本科專(zhuān)業(yè)（已備案），已建成“學(xué)士-碩士-博士-博士后流動(dòng)站”的完整的人才培養(yǎng)體系。

        半導(dǎo)體科學(xué)與技術(shù)學(xué)院實(shí)驗(yàn)室建設(shè)資金超過(guò)8000萬(wàn)元，建有多個(gè)國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的光電材料研發(fā)實(shí)驗(yàn)室，學(xué)校和工學(xué)部將加大對(duì)半科院的資金和制度保障，建設(shè)高水平科研平臺(tái)，包括半導(dǎo)體芯片與集成電路實(shí)驗(yàn)室、微納量子器件制備與測(cè)試實(shí)驗(yàn)室、半導(dǎo)體外延生長(zhǎng)實(shí)驗(yàn)室、結(jié)構(gòu)分析實(shí)驗(yàn)室、光譜分析實(shí)驗(yàn)室、材料電性分析實(shí)驗(yàn)室、器件可靠性分析實(shí)驗(yàn)室、芯片工藝實(shí)驗(yàn)室和LED應(yīng)用研發(fā)實(shí)驗(yàn)室等。

        半導(dǎo)體科學(xué)與技術(shù)學(xué)院重點(diǎn)聚焦芯片與集成技術(shù)領(lǐng)域，瞄準(zhǔn)國(guó)際最新科學(xué)前沿問(wèn)題和面向國(guó)家重大需求的核心關(guān)鍵科學(xué)技術(shù)，攻克半導(dǎo)體材料、器件、芯片和集成電路的核心技術(shù)，促進(jìn)芯片與集成技術(shù)領(lǐng)域的學(xué)科交叉創(chuàng)新，探索半導(dǎo)體量子系統(tǒng)的新奇量子效應(yīng)、調(diào)控半導(dǎo)體器件的新原理和新方法，推動(dòng)基礎(chǔ)與應(yīng)用基礎(chǔ)研究和高端專(zhuān)業(yè)人才的培養(yǎng)。

        半導(dǎo)體科學(xué)與技術(shù)學(xué)院具體研究?jī)?nèi)容包括：（1）以外延生長(zhǎng)、摻雜技術(shù)、異質(zhì)結(jié)設(shè)計(jì)等關(guān)鍵技術(shù)研究為支撐，攻克半導(dǎo)體功率芯片和射頻芯片的核心技術(shù)；（2）以MBE和MOCVD為實(shí)驗(yàn)手段實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量半導(dǎo)體外延生長(zhǎng)；（3）在凝聚態(tài)和半導(dǎo)體物理前沿領(lǐng)域，面向新型鐵磁二維半導(dǎo)體、高遷移率二維半導(dǎo)體、磁性拓?fù)浣^緣體和外爾半金屬等，分別針對(duì)其在自旋器件、量子相干器件、量子自旋霍爾效應(yīng)、量子反?；魻栃?yīng)和手性反常中的物理機(jī)制和器件應(yīng)用進(jìn)行細(xì)致深入的研究；（4）低維半導(dǎo)體器件的設(shè)計(jì)與基礎(chǔ)理論研究；（5）在半導(dǎo)體摻雜機(jī)制、半導(dǎo)體光電材料的設(shè)計(jì)、制備與器件應(yīng)用等方面的深入研究，預(yù)期取得一系列具有國(guó)際影響的創(chuàng)新成果；（6）立足于我國(guó)對(duì)“新一代信息技術(shù)” 方向的戰(zhàn)略定位，瞄準(zhǔn)SiC和GaN的摻雜機(jī)制及其功率器件這一重大領(lǐng)域，聚焦于新型半導(dǎo)體摻雜機(jī)制的理論研究、SiC基功率器件研發(fā)和Si基GaN器件研發(fā)。

        近年來(lái)，半導(dǎo)體科學(xué)與技術(shù)學(xué)院先后承擔(dān)了近百項(xiàng)國(guó)家、部、省和市級(jí)重大科技攻關(guān)項(xiàng)目，成果顯著。2019年以李京波教授為帶頭人的團(tuán)隊(duì)入選“珠江人才計(jì)劃創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)團(tuán)隊(duì)”，2021年獲批“廣東省芯片與集成技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室”，成為學(xué)院發(fā)展新的起點(diǎn)。在這個(gè)偉大的科技創(chuàng)新時(shí)代，我們將勇立時(shí)代潮頭、牢記使命、面向半導(dǎo)體國(guó)際前沿領(lǐng)域、把握時(shí)代機(jī)遇、集中優(yōu)勢(shì)力量、促進(jìn)大灣區(qū)協(xié)調(diào)創(chuàng)新，面向國(guó)家戰(zhàn)略需求，解決若干半導(dǎo)體領(lǐng)域 “卡脖子”問(wèn)題，為我國(guó)掌握半導(dǎo)體領(lǐng)域核心技術(shù)而不懈努力奮斗！